[ Détermination de la bande de fréquence d’étude d’un matériau à base de kénaf à partir de l’évolution de la température et de la densité de flux de chaleur en fonction de la fréquence d’excitation ]
Volume 24, Issue 4, November 2018, Pages 1917–1922
Ould Mohamed BAH1, Mamadou Babacar NDIAYE2, Youssou TRAORE3, Seydou Faye4, Issa DIAGNE5, Moussa GOMINA6, and Grégoire SISSOKO7
1 Institut Universitaire de Technologie, Université de Thiès, Senegal
2 Institut Universitaire de Technologie, Université de Thiès, Senegal
3 Laboratoire des Semi-conducteurs et d’Energie Solaire, Faculté des Sciences et Techniques, Université Cheikh Anta Diop, Dakar, Senegal
4 Laboratory of Semiconductors and Solar Energy, Physics Department, Faculty of Science and Technology, University Cheikh Anta Diop, Dakar, Senegal
5 Laboratoire des Semi-conducteurs et d’Energie Solaire, Faculté des Sciences et Techniques, Université Cheikh Anta Diop, Dakar, Senegal
6 Laboratoire CRISMAT UMR 6508 ENSICAEN, CNRS ENSICAEN, 6 Bd Maréchal Juin, 14050, Caen Cedex 4, France
7 Faculté des Sciences et Techniques, Département de Physique, Université Cheikh Anta DIOP de Dakar, Senegal
Original language: French
Copyright © 2018 ISSR Journals. This is an open access article distributed under the Creative Commons Attribution License, which permits unrestricted use, distribution, and reproduction in any medium, provided the original work is properly cited.
In this paper, we propose a method for determining the frequency band of study of a kenaf-based material in frequency modulation. The impacts of depth and heat exchange coefficients at the front and rear faces, are highlighted in the dynamic frequency regime.
Author Keywords: kenaf, Frequency band, heat exchange coefficient.
Volume 24, Issue 4, November 2018, Pages 1917–1922
Ould Mohamed BAH1, Mamadou Babacar NDIAYE2, Youssou TRAORE3, Seydou Faye4, Issa DIAGNE5, Moussa GOMINA6, and Grégoire SISSOKO7
1 Institut Universitaire de Technologie, Université de Thiès, Senegal
2 Institut Universitaire de Technologie, Université de Thiès, Senegal
3 Laboratoire des Semi-conducteurs et d’Energie Solaire, Faculté des Sciences et Techniques, Université Cheikh Anta Diop, Dakar, Senegal
4 Laboratory of Semiconductors and Solar Energy, Physics Department, Faculty of Science and Technology, University Cheikh Anta Diop, Dakar, Senegal
5 Laboratoire des Semi-conducteurs et d’Energie Solaire, Faculté des Sciences et Techniques, Université Cheikh Anta Diop, Dakar, Senegal
6 Laboratoire CRISMAT UMR 6508 ENSICAEN, CNRS ENSICAEN, 6 Bd Maréchal Juin, 14050, Caen Cedex 4, France
7 Faculté des Sciences et Techniques, Département de Physique, Université Cheikh Anta DIOP de Dakar, Senegal
Original language: French
Copyright © 2018 ISSR Journals. This is an open access article distributed under the Creative Commons Attribution License, which permits unrestricted use, distribution, and reproduction in any medium, provided the original work is properly cited.
Abstract
In this paper, we propose a method for determining the frequency band of study of a kenaf-based material in frequency modulation. The impacts of depth and heat exchange coefficients at the front and rear faces, are highlighted in the dynamic frequency regime.
Author Keywords: kenaf, Frequency band, heat exchange coefficient.
Abstract: (french)
Dans cet article, nous proposons une méthode de détermination de la bande de fréquence d’étude d’un matériau à base de kénaf en modulation de fréquence. Les impacts de la profondeur et des coefficients d’échange thermique en faces avant et arrière, sont mis en exergue en régime dynamique fréquentiel.
Author Keywords: kénaf, Bande de fréquence, coefficient d’échange thermique.
How to Cite this Article
Ould Mohamed BAH, Mamadou Babacar NDIAYE, Youssou TRAORE, Seydou Faye, Issa DIAGNE, Moussa GOMINA, and Grégoire SISSOKO, “Determination of the study frequency band of a kenaf material from the evolution of the temperature and the heat flux density as a function of the excitation frequency,” International Journal of Innovation and Applied Studies, vol. 24, no. 4, pp. 1917–1922, November 2018.
