|
Twitter
|
Facebook
|
Google+
|
VKontakte
|
LinkedIn
|
Viadeo
|
English
|
Français
|
Español
|
العربية
|
المجلة الدولية للإبداع والدراسات التطبيقية
ZDB-ID: 2703985-7     OCLC: 828807274     CODEN: IJIABO     ISSN: 2028-9324
الأربعاء 30 سبتمبر/ أيلول 2020
 
 
  لا يمكنكم حاليا إرسال البحوث قصد النشر  
 
 
 

Hamet Yoro BA


Personal

Name Hamet Yoro BA
Affiliation Ecole Polytechnique de Thiès, Département Génie Électromécanique, Senegal

Documents: 1

Document title Date Issue
Surface recombination velocity concept as applied to determinate silicon solar cell base optimum thickness with doping level effect
[ Concept de la vitesse de recombinaison surfacique appliqué à la détermination de l’épaisseur optimum de la base de la photopile au silicium avec effet du taux de dopage ]

Author(s): Masse Samba DIOP, Hamet Yoro BA, Ibrahima Diatta, Youssou TRAORE, Marcel Sitor DIOUF, El Hadji SOW, Oulymata MBALLO, and Grégoire SISSOKO
Show abstract   Full Text
2019 27 (3) , pp. 809-817


تقديم

مستجدات

إرسال المقالات

للتحميل

الأرشيف

البحث في الموقع

للاتصال

تابعنا