|
Twitter
 		|
Facebook
 		|
Google+
 		|
VKontakte
 		|
LinkedIn
 		|
Viadeo
|
English
|
Français
|
Español
|
العربية
|
المجلة الدولية للإبداع والدراسات التطبيقية
ZDB-ID: 2703985-7     OCLC: 828807274     CODEN: IJIABO     ISSN: 2028-9324
الخميس 21 نوفمبر/ تشرين الثاني 2024
 
 
  لا يمكنكم حاليا إرسال البحوث قصد النشر  
 
 
 

Hamet Yoro BA


Personal

Name Hamet Yoro BA
Affiliation Ecole Polytechnique de Thiès, Département Génie Électromécanique, Senegal

Documents: 1

Document title Date Issue
Surface recombination velocity concept as applied to determinate silicon solar cell base optimum thickness with doping level effect
[ Concept de la vitesse de recombinaison surfacique appliqué à la détermination de l’épaisseur optimum de la base de la photopile au silicium avec effet du taux de dopage ]
Author(s): Masse Samba DIOP, Hamet Yoro BA, Ibrahima Diatta, Youssou TRAORE, Marcel Sitor DIOUF, El Hadji SOW, Oulymata MBALLO, and Grégoire SISSOKO
Show abstract   Full Text
2019 27 (3) , pp. 809-817


تقديم

مستجدات

إرسال المقالات

للتحميل

الأرشيف

البحث في الموقع

للاتصال

  • إتصل بنا
  • الرسالة الدورية:

تابعنا
المجلة الدولية للإبداع والدراسات التطبيقية
http://www.ijias.issr-journals.org/ :الموقع الإلكتروني
office@issr-journals.org :البريد الإلكتروني
PageRank

Privacy-Policy | جميع الحقوق محفوظة © 2024 -  الفضاء الإبداعي للبحث العلمي
تخضع جميع المقالات المنشورة بالمجلة لرخصة المشاع الإبداعي نسب المصنف 3.0 الأصلية الترخيص Creative Commons License