|
Twitter
|
Facebook
|
Google+
|
VKontakte
|
LinkedIn
|
Viadeo
|
English
|
Français
|
Español
|
العربية
|
 
International Journal of Innovation and Applied Studies
ISSN: 2028-9324     CODEN: IJIABO     OCLC Number: 828807274     ZDB-ID: 2703985-7
 
 
Jueves 21 Noviembre 2024

Sobre IJIAS

News

Sumisión

Descargas

Archivo

Búsqueda Personalizada

Contacto

  • Contáctenos
  • Boletín de noticias:

Conéctate con IJIAS

  Now IJIAS is indexed in EBSCO, ResearchGate, ProQuest, Chemical Abstracts Service, Index Copernicus, IET Inspec Direct, Ulrichs Web, Google Scholar, CAS Abstracts, J-Gate, UDL Library, CiteSeerX, WorldCat, Scirus, Research Bible and getCited, etc.  
 
 
 

Hamet Yoro BA


Personal

Name Hamet Yoro BA
Affiliation Ecole Polytechnique de Thiès, Département Génie Électromécanique, Senegal

Documents: 1

Document title Date Issue
Surface recombination velocity concept as applied to determinate silicon solar cell base optimum thickness with doping level effect
[ Concept de la vitesse de recombinaison surfacique appliqué à la détermination de l’épaisseur optimum de la base de la photopile au silicium avec effet du taux de dopage ]

Author(s): Masse Samba DIOP, Hamet Yoro BA, Ibrahima Diatta, Youssou TRAORE, Marcel Sitor DIOUF, El Hadji SOW, Oulymata MBALLO, and Grégoire SISSOKO
Show abstract   Full Text
2019 27 (3) , pp. 809-817